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参数资料
| 型号： | SL24T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS LO CAP 300W 24V ESD SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 24V |
| 电压 - 击穿： | 26.7V |
| 功率（瓦特）： | 300W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SL24T1GOSCT |
SL05T1 Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Device
Device
Marking
V RWM
(V)
I R @ V RWM
( m A)
Breakdown Voltage
(Note 4)
V BR @ 1 mA (Volts)
Min Max
V C , Clamping Voltage
(Note 5)
@1A @5A
(V) (V)
Max
I PP
(A)
Capacitance
@ V R = 0 V, 1 MHz (pF)
Typ Max
SL05
SL12
SL15
SL24
L05
L12
L15
L24
5.0
12
15
24
20
1.0
1.0
1.0
6.0
13.3
16.7
26.7
8.0
15.5
18.5
29
9.8
19
24
43
11
24
30
55
17
12
10
5.0
3.5
3.5
3.5
3.5
5.0
5.0
5.0
5.0
4. V BR measured at pulse test current of 1 mA at an ambient temperature of 25 ° C
5. Surge current waveform per Figure 2
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
1
100
90
80
70
60
50
t r
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
40
0.1
30
20
10
t P
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
4
3.5
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 1. Maximum Peak Power Rating
10
t, TIME ( m s)
Figure 2. 8 × 20 m s Pulse Waveform
3
2.5
2
SL05
1
SL05T1
1.5
1
0.5
SL15
SL24
0.1
0
@ ZERO BIAS
@ 50% V RWM
@ V RWM
0.01
? 55
25
150
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Typical Junction Capacitance
http://onsemi.com
3
Figure 4. Typical Leakage Over Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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