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参数资料
| 型号： | SLD237VL |
| 元件分类： | 激光器 |
| 英文描述： | 784 nm, LASER DIODE |
| 封装： | M-274, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | SLD237VL |
MT3S15TU
2009-03-31
3
hFE-IC
IC-VBE
DC
cu
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gain
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FE
C
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I
C
(mA)
Collector-current IC(mA)
Base-emitter voltage VBE(V)
IC-VCE
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C
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Hz
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Collector-emitter voltage VCE(V)
Collector-current IC(mA)
|S21e|
2-IC
NF, Ga -IC
Inse
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2 (dB)
4
6
8
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110
100
ＶＣＥ＝５Ｖ
Ｔａ＝２５℃
f=500MHz
f=1000MHz
Noi
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NF(dB)
Associ
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Ga
(dB)
Collector-current IC(mA)
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100
1000
1
10
100
COMMON EMITTER
ＶＣＥ＝５Ｖ
Ｔａ＝２５℃
0
2
4
6
8
10
12
14
1
10
100
ＶＣＥ＝５Ｖ
Ｔａ＝２５℃
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
COMMON EMITTER
ＶＣＥ＝５Ｖ
Ｔａ＝２５℃
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1
10
100
0
2
4
6
8
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14
16
Ｇａ
ＮＦ
ＶＣＥ＝５Ｖ
ｆ＝１ＧＨｚ
Ｔａ＝２５℃
0
20
40
60
80
100
02
4
6
8
80μA
160μA
240μA
320μA
400μA
480μA
560μA
640μA
720μA
IB=800μA
ＣＯＭＭＯＮ ＥＭＩＴＴＥＲ
Ｔａ＝２５℃
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SLD238VL | 784 nm, LASER DIODE |
| SLD304B | 770 nm, LASER DIODE |
| SLD332V | LASER DIODE |
| SLD431S | 805 nm, LASER DIODE |
| SLDA-61S25-16 | PHOTO DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SLD238VL | 制造商:SONY 制造商全称:Sony Corporation 功能描述:Index-Guided High Power AlGaAs Laser Diode |
| SLD23S-1 | 制造商:FCI 功能描述:CONN FFC/FPC CONN SKT 23 POS 2.5MM SLDR ST TH - Trays |
| SLD24-018 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI LD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SLD24-018-B | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:Transient Voltage Suppression Diodes |
| SLD24-18-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS AXIAL HI-POWER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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