型号: | SLDB102S |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SLDBS, 4 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 196K |
代理商: | SLDB102S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SST503-T1 | 0.56 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236AB |
SMAJP4KE180CATR | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE22C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE250A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE33ATR | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SLDB103S | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere |
SLDB104S | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere |
SLDB105S | 功能描述:桥式整流器 1.0A, 600V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
SLDB106S | 功能描述:桥式整流器 1.0A, 800V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
SLDB107S | 功能描述:桥式整流器 1.0A, 1000V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |