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参数资料
| 型号： | SM-BG329-B |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA329, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | SM-BG329-B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM1010R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SM12G41 | 400 V, 12 A, TRIAC, TO-220AB |
| SM14M12 | 2500 W, BIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SM2BB383W | SINGLE COLOR LED, BLUE, 7.6 mm |
| SM2D2569-08 | 256K X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG33 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG33A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
| SMBG33A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG33A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG33A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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