| 型号: | SM5S24A2D |
| 厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
| 文件页数: | 2/3页 |
| 文件大小: | 62K |
| 代理商: | SM5S24A2D |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SM5S30A2E | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
| SM5S11A2D | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
| SM5S13A2D | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
| SM5S14A2D | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
| SM5S16A2D | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SM5S24A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 3600W 24V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM5S24AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 24V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM5S24AHE3-2D | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR?? Transient Voltage Suppressors |
| SM5S24-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 3600W 24V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM5S24HE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 24V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |