型号: | SM5S26A/2D |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 63K |
代理商: | SM5S26A/2D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SM5S26A/2E | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM5S28A/2E | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM5S16A/2D | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM5S36A/2D | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM5S24A/2E | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SM5S26A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 3600W 26V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S26AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 26V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S26-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S26HE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S28 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |