型号: | SM5S28A2E |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 2800 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | SM5S28A2E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S07G | 0.7 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-219AA |
SMF13A/G1 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
SMF26A | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AA |
SMF5.0A/G1 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
SMF70A/G1 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SM5S28A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 28V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S28AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 28V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S28-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 28V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S28-E3/2E | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 28V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM5S28HE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5W 28V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |