型号: | SM6S12A/2E |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 4600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
封装: | PLASTIC PACKAGE-1 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 54K |
代理商: | SM6S12A/2E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SM6S17/2D | 4600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S20 | 4600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S22 | 4600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S10/2E | 4600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S33A | 4600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SM6S12A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6W 12V 5% Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM6S12AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6W 12V 5% Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM6S13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |
SM6S13A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |
SM6S13AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6W 13V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |