型号: | SM6S17A2E |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | SM6S17A2E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SM6S26A2E | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S20A | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S14/2E | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S15A | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM6S28A2E | 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SM6S17A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 4600W 17V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM6S17AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6W 17V 5% Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM6S18 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors |
SM6S18A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |
SM6S18AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6W 18V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |