型号: | SM8S12A-E3/2D |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
封装: | PLASTIC PACKAGE-1 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | SM8S12A-E3/2D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SM8S36A-E3/2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S14A | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S17-2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S20A | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S30 | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SM8S12AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 12V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S12-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S12HE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 12V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |
SM8S13/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 13V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |