型号: | SM8S22AHE3/2D |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 6600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 92K |
代理商: | SM8S22AHE3/2D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMA5J13A-E3/5A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMA5J33C-HE3/5A | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMA5J40-HE3/61 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMA5J6.5CA-HE3/61 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMA5J7.0CA-E3/5A | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SM8S22-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 22V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S22HE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 22V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S24 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |
SM8S24/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 24V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
sm8s24a | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |