型号: | SM8S33A2E |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | SM8S33A2E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ120-5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ160-5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ160C5A | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMBJ4763CPE3 | 91 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ4764D | 100 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SM8S33A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S33A-E3/2E | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S33AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S33AHE3/2E | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S33-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |