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参数资料
| 型号： | SMA6F12AHD-M3/6B |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 12V 1CH UNI DO-221AC |
| 标准包装： | 14,000 |
| 系列： | TransZorb® |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.2V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-221AC，SMA 扁平引线 |
| 供应商设备封装： | DO-221AC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SMA6F5.0A thru SMA6F20A
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
IMMUNITY TO STATIC ELECTRICAL DISCHARGE TO THE FOLLOWING STANDARDS ?
(T A = 25 °C unless otherwise noted)
STANDARD
IEC 61000-4-2
TEST TYPE
Human body model (contact mode)
Human body model (air discharge mode)
TEST CONDITIONS
C = 150 pF, R = 330 ?
SYMBOL
V C
CLASS
4
VALUE
> 8 kV
> 15 kV
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
SMA6F5.0A-M3/6A
SMA6F5.0A-M3/6B
UNIT WEIGHT (g)
0.032
0.032
PREFERRED PACKAGE CODE
6A
6B
BASE QUANTITY
3500
14 000
DELIVERY MODE
7" diameter plastic tape and reel
13" diameter plastic tape and reel
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T A = 25 °C unless otherwise noted)
100
10
150
100
t r = 10 μ s
t r = 8 μ s
Peak Value
I PPM
T J = 25 °C
Pul s e Width (t d ) i s
defined a s the Point
Where the Peak Current
decay s to 50 % of I PPM
Half Value - I PP
I PPM
2
1
0.1
50
0
t d
t d = 1000 μ s
t d = 20 μ s
1
10
100
1 000
10 000
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t d - Pul s e Width (μ s )
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
t - Time (m s )
Fig. 3 - Pulse Waveform
100
10 000
T J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V s ig = 50 mV p-p
75
Mea s ured at Zero Bia s
50
25
1000
Mea s ured at S tand-off
Voltage, V WM
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
100
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
T J - Initial Temperature ( ° C)
Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature
V WM - Rever s e S tand-Off Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance
Revision: 10-Dec-13
3
Document Number: 89458
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMA6F12A-M3/6B | TVS DIODE 12V 1CH UNI DO-221AC |
| TISP7320F3P | SURGE SUPP 240V BIDIR 8-DIP |
| SMA6F11A-M3/6B | TVS DIODE 11V 1CH UNI DO-221AC |
| SMA6F10A-M3/6B | TVS DIODE 10V 1CH UNI DO221AC |
| SMA6F8.5A-M3/6B | TVS DIODE 8.5V 1CH UNI DO-221AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMA6F12A-M3/6A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Uni Low Profile RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMA6F12A-M3/6B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Uni Low Profile RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMA6F12A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V, 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMA6F12AVCL | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 HJ Temp Transil RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMA6F13A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High junction temperature Transil |
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