型号: | SMA6J9.0/51 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 34K |
代理商: | SMA6J9.0/51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SF164 | 16 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
SDR60U080CANTXV | 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-258AA |
SDR60U080CTNS | 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-258AA |
SDR60U080CTNTX | 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-258AA |
SDR60U080CTPTX | 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-259 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMA6L10A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10Vr 600W 35.3A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMA6L11A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11Vr 600W 33A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMA6L12A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12Vr 600W 30.2A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMA6L13A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 13Vr 600W 28A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMA6L14A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 14Vr 600W 25.9A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |