型号: | SMAJ10C-HE3/61 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMAJ10C-HE3/61 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ15CA-HE3/61 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ170A-HE3/61 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ48C-HE3/61 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ51C-HE3/5A | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ6.5CA-HE3/5A | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ10-E3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ10-E3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ10E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:400W, STAND-OFF VOLTAGE = 10V, ? 10%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 10VWM 18.8VC SMAJ |
SMAJ10HE3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ10HE3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |