型号: | SMAJ110C |
厂商: | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | SMAJ110C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMAJ130 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMAJ20C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMAJ8.5C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMAJ6.0C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMAJ90C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMAJ110CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 110volts 5uA 2.3 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ110CA R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 110V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ110CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ110CA/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ110CA/2F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |