型号: | SMAJ110CE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/5页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | SMAJ110CE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ110E3TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ11AE3TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ120CE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ12CE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ130E3TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ110-E3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ110-E3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ110E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:400W, STAND-OFF VOLTAGE = 110V, ? 10%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 400W 110V 10% UNIDIR SMAJ |
SMAJ110HE3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ110HE3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 110V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |