型号: | SMAJ1112 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 256K |
代理商: | SMAJ1112 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S25A15HE | 20 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S25A80S | 20 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S6A15HE | 7.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S25A3100FR | 3 PHASE, 18 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
SRM3150UF | 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ11A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11Vr 400W 22A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ11A R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 11V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ11A/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 11V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ11A/2F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 11V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ11A/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 11V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |