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参数资料
| 型号： | SMAJ26A-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | SMAJ26A-13 |
DS19005 Rev. 12 - 2
3 of 4
SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A
www.diodes.com
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C
,
JUNCTION
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
T
V
, STANDOFF VOLTAGE (V)
WM
Fig.2 Typical Total Capacitance
T = 25
°C
j
Unidirectional
Bidirectional
10 X 1000 Waveform
as defined by REA
0
25
50
75
100
125
150 175 200
100
75
50
25
0
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 1 Pulse Derating Curve
PEAK
PULSE
D
ERA
TING
IN
%
OF
PEAK
POWER
O
R
CURRENT
01
2
3
100
50
0
I
,
PEAK
PULSE
C
URRENT
(%I
)
Pp
p
Peak Value I
pp
Half Value I /2
pp
10 X 1000 Waveform
as defined by R.E.A.
t
p
t, TIME (ms)
Fig. 4 Pulse Waveform
0.1
1.0
0.1
10
100
1.0
10
1000
10000
T= 25
°C
j
P
,
PEAK
PULSE
P
OWER
(kW)
d
100
Non Repetitive
Pulse Waveform
Shown in Fig. 4
0.0
0.2
0.4
0.6
025
50
75
100
125
150
175
200
PM
STEADY
S
T
A
TE
POWER
D
ISSIP
A
TION
(W)
(A
V),
T , LEAD TEMPERATURE (
°C)
L
Fig.6 Steady State Power Derating Curve
0.8
1.0
60Hz Resistive or
Inductive Load
0
60
50
40
30
20
10
2
5
10
PEAK
FOR
W
A
RD
SURGE
C
URRENT
,
(A)
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 5 Maximum Non-Repetitive Surge Current
20
50
100
1
Pulse Width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAJ100A5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ10A5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ10C5A | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ110A5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ120A5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ26A-13-F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26A-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 400 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26A-7P | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 400 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26A-E3/2G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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