| 型号: | SMAJ26A-TR |
| 厂商: | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 封装: | LEAD FREE, SMA, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/10页 |
| 文件大小: | 142K |
| 代理商: | SMAJ26A-TR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SV1020MRC | 180 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SV1510FM | 205 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 |
| SV2014KRC | 220 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| ST02D-82-4081 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMDA05C-5TE | 300 W, BIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ26C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26Vr 400W 9.5A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26C/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26C/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26C/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ26C/63 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 26V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |