| 型号: | SMAJ28 |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 封装: | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 20K |
| 代理商: | SMAJ28 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAJ530-E3/2G | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMBGJLCR80 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBT70A-7 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ7.0 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMDA05-6-TR | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ28/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 28V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ28/13 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 28V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ28/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 28V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ28/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 28V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ28/63 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 28V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |