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参数资料
| 型号： | SMAJ30 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | SMAJ30 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAJ11CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ58CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ150A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ40A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ85 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ30/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ30/11 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMA 400W 30V |
| SMAJ30/13 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ30/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ30/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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