型号: | SMAJ30ATR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/5页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | SMAJ30ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ36CE3 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ160CE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ20CAE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ54E3TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ54TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ30A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ30C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30Vr 400W 8.3A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ30C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ30C/13 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ30C/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |