| 型号: | SMAJ33CAE3 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
| 文件页数: | 3/5页 |
| 文件大小: | 206K |
| 代理商: | SMAJ33CAE3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH4R02B-TR | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SML11GB15U2CR4 | 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-276AB |
| SDR953ZDTX | 50 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SB550-E3/73 | 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB560-E3/54 | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ33CA-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 33V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ33CA-E3/11 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 33V 400W 2-Pin SMA T/R |
| SMAJ33CA-E3/2G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 33V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ33CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 33V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ33CA-E3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 33V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |