型号: | SMAJ40E3/TR13 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 484K |
代理商: | SMAJ40E3/TR13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SBL560 | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
SA45ARL | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMAJ16A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMAJ40 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMCJ10A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ40HE3/2G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 40V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ40HE3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 40V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ40HE3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 40V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ43/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 43V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ43/13 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 43V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |