型号: | SMAJ45/51 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 74K |
代理商: | SMAJ45/51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SS8PH10HE3/86A | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
SMCJ120CAHE3/57T | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMD16PL-TP | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
S4PMHE3/86A | 4 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
SMA2EZ6.8D5-TP | 6.8 V, 2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ45A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 45volts 5uA 5.5 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ45A R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 45V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ45A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 45V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ45A/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 45V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ45A/2F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 45V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |