型号: | SMAJ51CE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | SMAJ51CE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ8.5CAE3TR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMCJ440CA | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SZ5A18S | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
SZ5A6.2SM-S | 6.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
SZ5B17TXV | 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ51C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 51V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ51-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ51-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ51-E3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ51-E3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |