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参数资料
| 型号： | SMAJ5283 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | SMAJ5283 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MV5284 | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-7 |
| SMAJ530/11 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ530-E3/5A | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ550-E3/5A | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ550-HE3/5A | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ530 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 530V 300W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ530 R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 477V 300W 2-Pin SMA T/R |
| SMAJ530/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 300W 530V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ530/13 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 300W 530V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ530/2F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 300W 530V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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