型号: | SMAJ58-E3/2G |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMAJ58-E3/2G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ11-HE3/5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ14C-HE3/5A | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ150A-HE3/5A | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ188-HE3/61 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ6.5C-HE3/5A | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ58HE3/2G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 58V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ58HE3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 58V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ58HE3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 58V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ5913BT&R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 3W 2-Pin DO-214AC T/R |
SMAJ5918B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |