型号: | SMAJ58-HE3/5A |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMAJ58-HE3/5A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ58A-E3/61 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ6.0CA-HE3/61 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ90CA-E3/5A | 300 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMBG130A-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG160-E3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ5913BT&R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 3W 2-Pin DO-214AC T/R |
SMAJ5918B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
SMAJ5918B-TP | 功能描述:稳压二极管 1.5W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
SMAJ5919B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 5.6V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
SMAJ5919B-TP | 功能描述:稳压二极管 1.5W 5.6V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |