参数资料
型号: SMAJ58E3TR
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封装: PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 206K
代理商: SMAJ58E3TR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 5
Copyright
2009
MSC0270A, REV L, 5-24-2009
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SMAJ5.0 thru SMAJ170CA, e3
SURFACE MOUNT 500 Watt
Transient Voltage Suppressor
S C O T TS DALE DIVISION
PACKAGE DIMENSIONS & PAD LAYOUT
SMAJ5.0–1
70CA,
e
3
PAD LAYOUT
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.067
. 089
1.70
2.26
B
.160
.180
3.99
4.50
C
.100
.110
2.57
2.79
D
.194
.216
4.93
5.48
E
.078
.120
1.98
3.05
1
F
.030
.060
.76
1.52
G
-
.02
-
.51
INCHES
mm
NOTE 1: THIS MAXIMUM DIMENSION IS LARGER THAN THE
STANDARD JEDEC CALL OUT. STANDARD JEDEC
IS .105 INCHES OR 2.66 MM.
A
.245
6.22
B
.075
1.90
C
.094
2.39
相关PDF资料
PDF描述
SMAJ6.5AE3TR 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ60AE3TR 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ7.0CAE3TR 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ7.5AE3TR 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAJ7.5E3TR 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
相关代理商/技术参数
参数描述
SMAJ58HE3/2G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 58V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMAJ58HE3/5A 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 58V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMAJ58HE3/61 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 58V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMAJ5913BT&R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 3W 2-Pin DO-214AC T/R
SMAJ5918B-T 功能描述:稳压二极管 1.5W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel