型号: | SMAJ5925AE3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 10 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMAJ, DO-214AC, 2 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 118K |
代理商: | SMAJ5925AE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ5941E3TR | 47 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
SMAJ5942DE3TR | 51 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
SMAJ5945E3 | 68 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
SMAJ5952AE3 | 130 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
SMAJ5949CTR | 100 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ5925B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
SMAJ5925B-TP | 功能描述:稳压二极管 1.5W 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
SMAJ5926B | 功能描述:DIODE ZENER 11V 1.5W SMA RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
SMAJ5926BE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 11V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 11V 5% SMAJ |
SMAJ5926B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |