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参数资料
| 型号： | SMAJ5926AE3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 11 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | SMAJ5926AE3TR |
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2007
6-20-2007 REV J
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SMAJ5913 thru SMAJ5956, e3
SILICON 3.0 Watt ZENER DIODE
S C O T TS DALE DIVISION
GRAPHS
SMAJ5913-SMAJ595
6B
Typical
Maximu
m
Power
in
Watt
s
Temperature C
Square Wave Pulse Width (Non-Repetitive) in Milliseconds
Pd,
Maximum
Power
Dissipation
(mW)
TA on FR4
PC board
TL
FIGURE 1
FIGURE 2
POWER DERATING CURVE
TRANSIENT SURGE CAPABILITY
DIMENSIONS & LAYOUT
DIM
INCHES
MIN / MAX
MILLIMETERS
MIN / MAX
NOTE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.078 / .115
.067 / .089
- / .005
- / .02
.030 / .060
.055 / .075
.194 / .216
.160 / .180
.100 / .110
1.98 / 2.92
1.70 / 2.26
- / .127
- / .51
.76 / 1.52
1.65 / 2.13
4.93 / 5.48
3.99 / 4.50
2.57 / 2.79
1
NOTE 1: DIMENSION A IS WITHIN DO-214BA BUT
HIGHER THAN DO-214AC STANDARD JEDEC OUTLINES.
DIMENSION B IS WIDER THAN BOTH JEDEC OUTLINES
FOR LOWER THERMAL RESISTANCE.
T
yp
ic
a
lCa
p
acitance
in
Picofarads
Zener Voltage VZ
FIGURE 3 - CAPACITANCE vs. VZ CURVE
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAJ5929E3 | 15 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| SMAJ5939E3 | 39 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| SMAJ5943DE3 | 56 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| SMAJ5954DE3 | 160 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| SMAJ5927TR | 12 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ5926B | 功能描述:DIODE ZENER 11V 1.5W SMA RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| SMAJ5926BE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 11V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 11V 5% SMAJ |
| SMAJ5926B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAJ5926B-TP | 功能描述:稳压二极管 1.5W 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAJ5927B-T | 功能描述:稳压二极管 1.5W 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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