- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录271894 > SMAJ5955DE3 (MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE) 180 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMAJ5955DE3 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 180 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMAJ, DO-214AC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | SMAJ5955DE3 |
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2007
6-20-2007 REV J
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SMAJ5913 thru SMAJ5956, e3
SILICON 3.0 Watt ZENER DIODE
S C O T TS DALE DIVISION
GRAPHS
SMAJ5913-SMAJ595
6B
Typical
Maximu
m
Power
in
Watt
s
Temperature C
Square Wave Pulse Width (Non-Repetitive) in Milliseconds
Pd,
Maximum
Power
Dissipation
(mW)
TA on FR4
PC board
TL
FIGURE 1
FIGURE 2
POWER DERATING CURVE
TRANSIENT SURGE CAPABILITY
DIMENSIONS & LAYOUT
DIM
INCHES
MIN / MAX
MILLIMETERS
MIN / MAX
NOTE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.078 / .115
.067 / .089
- / .005
- / .02
.030 / .060
.055 / .075
.194 / .216
.160 / .180
.100 / .110
1.98 / 2.92
1.70 / 2.26
- / .127
- / .51
.76 / 1.52
1.65 / 2.13
4.93 / 5.48
3.99 / 4.50
2.57 / 2.79
1
NOTE 1: DIMENSION A IS WITHIN DO-214BA BUT
HIGHER THAN DO-214AC STANDARD JEDEC OUTLINES.
DIMENSION B IS WIDER THAN BOTH JEDEC OUTLINES
FOR LOWER THERMAL RESISTANCE.
T
yp
ic
a
lCa
p
acitance
in
Picofarads
Zener Voltage VZ
FIGURE 3 - CAPACITANCE vs. VZ CURVE
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAJ5956CE3TR | 200 V, 1.56 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214BA |
| SJ5550 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SV5553 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SV5554US | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SX5550 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ5955E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 180V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 180V 20% SMAJ |
| SMAJ6.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6Vr 400W 38.8A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ6.0/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 6.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ6.0/2F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 6.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ6.0/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 6.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。