参数资料
型号: SMAJ7.5AE3TR
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封装: PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 206K
代理商: SMAJ7.5AE3TR
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2009
MSC0270A, REV L, 5-24-2009
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SMAJ5.0 thru SMAJ170CA, e3
SURFACE MOUNT 500 Watt
Transient Voltage Suppressor
S C O T TS DALE DIVISION
GRAPHS
tw Microseconds
FIGURE 1
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (tw) - Microseconds
C
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
SMAJ5.0–1
70CA,
e
3
FIGURE 2
Lead or Ambient Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
Pulse Waveform for Exponential Surge
FIGURE 3
FIGURE 4
Derating Curve
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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PDF描述
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SMAJ75AHE3/5A 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMAJ75AHE3/61 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMAJ75AHE3/63 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMAJ75A-M3/5A 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:400W,75V 5%,UNIDIR,SMA TVS