型号: | SMAJ75 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/5页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | SMAJ75 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SA40C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
SD203N06S15P | 200 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
SD203R02S10P | 200 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
S50480TS | 300 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
SMC1802-201 | 50 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMAJ75/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75/63 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75volts 5uA 3.3 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |