型号: | SMAJ75C-W |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 464K |
代理商: | SMAJ75C-W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ78C-W | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ8.0-W | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ11A-W | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ22-W | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ100CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ75-E3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75-E3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75HE3/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ75HE3/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ78 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 78Vr 400W 3.2A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |