型号: | SMAJ85A-M3/61 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMA, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | SMAJ85A-M3/61 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ85C-M3/61 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMDJ15CA-HR | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMBJ14C-M3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ22-M3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ78-M3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ85A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85V 400 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ85C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85Vr 400W 2.9A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ85CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85volts 5uA 2.9 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ85CA R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 85V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ85CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |