型号: | SMAJ85ATR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | SMAJ85ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MASMBG100A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBG10ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBG110CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBG110CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBG11AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ85C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85Vr 400W 2.9A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ85CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85volts 5uA 2.9 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ85CA R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 85V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ85CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ85CA/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |