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参数资料
| 型号： | SMAZ6V8 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 6.8 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | SMAZ6V8 |
Electrical Characteristics
@TA = 25°C unless otherwise noted
Test
Current
IZT
ZZT @ IZT
Nom (V) Min (V)
Max (V)
mA
ΩΩ
mA
AV
mA
SMAZ5V1
ZHK
5.1
4.84
5.4
100
5
500
1
2.5
1
196
SMAZ5V6
ZHL
5.6
5.32
5.88
100
2
250
2
5
2
179
SMAZ6V2
ZHN
6.2
5.89
6.51
100
2
200
2
5
3
161
SMAZ6V8
ZHO
6.8
6.46
7.14
100
2
200
1
5
4
147
SMAZ7V5
ZHQ
7.5
7.13
7.88
100
2
450
1
5
133
SMAZ8V2
ZHR
8.2
7.79
8.61
100
2
200
1
5
6
122
SMAZ9V1
ZHT
9.1
8.65
9.56
50
4
200
1
5
7
110
SMAZ10
ZHU
10
9.5
10.5
50
4
200
1
7.6
100
SMAZ12
ZHW
12
11.4
12.6
50
7
150
1
9.1
83
SMAZ15
ZHZ
15
14.25
15.75
50
10
150
1
11.4
67
SMAZ16
ZJA
16
15.2
16.8
25
15
150
1
0.5
12.2
63
SMAZ18
ZJF
18
17.1
18.9
25
15
150
1
0.5
13.7
56
SMAZ20
ZJG
20
19
21
25
15
180
1
0.5
15.2
50
SMAZ22
ZJK
22
20.9
23.1
25
15
180
1
0.5
16.7
45
SMAZ24
ZJL
24
22.8
25.2
25
15
180
1
0.5
18.2
42
SMAZ27
ZJN
27
25.65
28.35
25
15
200
1
0.5
20.5
37
SMAZ30
ZJQ
30
28.5
31.5
25
15
250
1
0.5
22.8
33
SMAZ33
ZJR
33
31.35
34.65
25
15
300
1
0.5
25.1
30
SMAZ36
ZJS
36
34.2
37.8
10
40
350
1
0.5
27.4
28
SMAZ39
ZJT
39
37.05
40.95
10
40
450
1
0.5
29.6
26
Note 1
The actual Izm for any device may not exceed the value of 1 watts divided by the actual Vz of the
device. TL=120℃ at 1mm maximum from the device body.
IZM Max
(Note 1)
Marking
Code
Type
Number
Maximum Reverse
Current
VZ @IZT
ZZK @ IZK
IR @VR
Zener Voltage Range (Note
2)
Maximum Zener Impedance
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAZ5V6 | 5.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SMAZ9V1 | 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SMAZ24 | 24 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SMAZ12 | 12 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SMAZ22 | 22 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAZ6V8-13 | 功能描述:稳压二极管 6.8V 1W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAZ6V813F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| SMAZ6V8-13-F | 功能描述:稳压二极管 6.8V 1W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAZ6V8-TP | 功能描述:稳压二极管 6.8V 200Ohms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAZ7.5V | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:ZENER DIODE SILICON PLANAR DIODE |
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