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参数资料
| 型号： | SMAZ7V5-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMAJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | SMAZ7V5-TP |
SMAZ5V1 - SMAZ39
MCC
TM
Micro Commercial Components
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
2000
1
10
100
500
V , ZENER REGULATION VOLTAGE (V)
ZT
Fig. 4 Leakage Current vs Regulation Voltage
T = 125
°C
j
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
500
V , ZENER REGULATION VOLTAGE (V)
ZT
Fig. 5 Differential Resistance vs Regulation Voltage
I
= 5.0mA
ZT
I
= 20mA
ZT
I
= 100m
ZT
A
I
= 10mA
ZT
0
10
100
1000
1
10
100
200
C
,
JUNCTION
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
j
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 2 Junction Capacitance vs Reverse Voltage
SMAZ5V6
SMAZ27
SMAZ12
0.1
1
10
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
,
PEAK
FOR
W
ARD
CURRENT
(A)
FM
V
, PEAK FORWARD VOLTAGE (V)
FM
Fig. 3 Peak Forward Current vs Peak Forward Voltage
T= 25
°C
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
150
175
P
PEAK
POWER
(W)
pk
T , AMBIENT TEMPERATURE
°C
A
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
www.mccsemi.com
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Revision: A
2011/01/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMAZ10-TP | 10 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SMAZ33-TP | 33 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SMAZ15-TP | 15 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SMAZ6V8-TP | 6.8 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SMAZ5V1-TP | 5.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAZ8.2V | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:ZENER DIODE SILICON PLANAR DIODE |
| SMAZ8V2 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| SMAZ8V2-13 | 功能描述:稳压二极管 1W 8.2V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAZ8V2-13-F | 功能描述:稳压二极管 1W 8.2V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SMAZ8V2-TP | 功能描述:DIODE ZENER 1W 8.2V SMA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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