型号: | SMB10J6.0-HE3/52 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | SMB10J6.0-HE3/52 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMB8J12CA-HE3/52 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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SMB10J11HE3/52 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMB10J12AHE3/5B | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMB10J7.0 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMB10J7.0/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB10J7.0/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB10J7.0/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB10J7.0A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |