型号: | SMB10J6.5AHE3/5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 103K |
代理商: | SMB10J6.5AHE3/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMB8J9.0CAHE3/52 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SHD114523 | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S5JHE3/57T | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
SB1220-AP | 12 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
SS10P5-M3/86A | 7 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMB10J7.0 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMB10J7.0/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB10J7.0/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB10J7.0/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB10J7.0A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |