型号: | SMB8J11C-E3/55 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMB8J11C-E3/55 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMB8J18CA-E3/55 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMB8J9.0CA-E3/51 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ26CA-E3/51 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ9.0A-E3/55 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SA12CA-E3/51 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMB8J11CHE3/2C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 11V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J11CHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 11V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J11CHE3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 11V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J11CHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 11V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J12C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |