型号: | SMB8J24CAHE3/5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 103K |
代理商: | SMB8J24CAHE3/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMB8J8.0CHE3/5B | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SF28-AP | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
SS3P3LHG3/87A | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
SC220R015A5P | 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SC220S030S5P | 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMB8J24C-E3/2C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J24C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J24C-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J24C-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMB8J24C-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |