型号: | SMBG10/5B |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | SMBG10/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG110CA/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG12C/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG14CA/51 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG14CA/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG18A/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG10A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
SMBG10A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG10A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 10V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG10A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG10A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 10V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |