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参数资料
| 型号： | SMBG110A |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG110A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG170A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG64 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ75A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG100 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ110A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG110A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG110A/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG110A/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG11A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG11A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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