| 型号: | SMBG110CA |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 3/4页 |
| 文件大小: | 182K |
| 代理商: | SMBG110CA |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG90C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMLG150CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMLJ16C | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMLG48CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMLG12C | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG11A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG11A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG11A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 11V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG11A/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 11V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG11A/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 11V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |