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参数资料
| 型号： | SMBG120C-E3/5B |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | SMBG120C-E3/5B |
SMBG5.0 thru SMBG188CA
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88456
Revision: 22-Oct-08
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5
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1.0
10
100
0.001
0.01
0.1
10
1
100
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
10
200
100
1
100
10
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.016 (0.41)
0.006 (0.15)
0.020
(0.51) MAX.
0.058 (1.47)
0.038 (0.97)
0.255 (6.48)
0.235 (5.97)
0.030 (0.76)
0.015 (0.38)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.083 (2.10)
0 .077 (1.96)
0.095 (2.41)
0.075 (1.90)
0.165 (4.19)
0.085 (2.16)
0.060 (1.27)
DO-215AA (SMBG)
Mounting Pad Layout
Cathode Band
0.008 (0.20)
0.002 (0.05)
Seating Plane
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG130C-E3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
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| SMBG170A-E3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG170C-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SMBG12A/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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