型号: | SMBG12C-5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 1984K |
代理商: | SMBG12C-5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG12CA-51 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG12CA-5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG13-51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG130-51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG130A-51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG12CA | 功能描述:TRANSVOLTAGE SUPP 12V 600W RoHS:是 类别:过电压,电流,温度装置 >> TVS - 二极管 系列:- 标准包装:2,000 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离(标准值):8V 电压 - 击穿:8.89V 功率(瓦特):500W 电极标记:单向 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商设备封装:DO-204AC(DO-15) 包装:带盒(TB) |
SMBG12CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG12CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG12CA/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG12CA/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |